Prinzipieller Aufbau
| Die klassische Silizium-Solarzelle besteht aus einer ca. 0,001 mm dicken n-Schicht, welche in das ca. 0,6 mm dicke p-leitende Si-Substrat eingebracht wurde. Den Übergang zwischen n-Schicht und p-Substrat nennt man p/n-Übergang oder einfach Grenzschicht. Bei der monokristallinen Siliziumsolarzelle wird die n-Schicht durch oberflächennahes Einbringen (dotieren) von ca. 1019 Phosphor-Atomen / cm³ in das p-leitende Si-Substrat erzeugt. Die n-Schicht ist so dünn, damit das Sonnenlicht besonders in der Raumladungszone am p/n-Übergang absorbiert wird. Das p-leitende Si-Substrat muss dick genug sein, um die tiefer eindringenden Sonnenstrahlen absorbieren zu können und um der Solarzelle mechanische Stabilität zu geben. |
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Aufbau der Grenzschicht
| Durch Einbringen weniger 5-wertiger Phosphoratome in das 4-wertige Silizium wird dieses n-dotiert, d.h. es ist nach außen elektrisch neutral, aber das zusätzliche Valenzelektron (blau - gezeichnet) ist relativ frei beweglich. Durch Einbringen weniger 3-wertiger Boratome in das 4-wertige Silizium wird dieses p-dotiert, d.h. es ist nach außen elektrisch neutral, aber das für das 4.Valenzelektron aufgehobene positive Loch ( rot - gezeichnet) ist relativ frei beweglich. An der Grenzschicht zwischen n- und p-Schicht diffundieren die Löcher in die n-Schicht und die Elektronen in die p-Schicht und es entsteht dadurch eine von freien Ladungsträgern verarmte Raumladungszone einer bestimmten Breite. Durch diese Verschiebung hat das n-Gebiet positive, das p-Gebiet negative Raumladung. Vergleiche hierzu auch die Grundwissensseite über die Dotierung. |
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Auslösen von Elektron-Loch-Paaren durch Photonen
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Räumlich Darstellung des Aufbaus
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Schaltzeichen für die Solarzelle
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